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軟啟動器可控硅被擊穿的原因有哪些?

軟啟動器中的可控硅是整個產(chǎn)品的主要控制元件，它壞了那么也就意味著軟啟動器不能正常工作了，即使其他部分是好的，一般軟啟動器可控硅損壞的現(xiàn)象就是燒壞了，專業(yè)點叫做被擊穿了。那么軟啟動器可控硅被擊穿的原因會有哪些呢?

1、過壓擊穿：

過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，也是大部分軟啟動損壞的主要原因，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的，因此實際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓，一般成熟的軟啟動器都會配有此種保護(hù)電路。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。

另外，這個過壓主要是設(shè)備停止時電機(jī)的反向電壓，不同轉(zhuǎn)速的電機(jī)在停止時由于慣性產(chǎn)生反向電動勢高低也不同，轉(zhuǎn)速越高，反向電壓越高，那么對軟啟動器的傷害也就越大，因為這個反身電壓是直接加在軟啟動端的。所以像2極電機(jī)這樣的風(fēng)機(jī)設(shè)備，轉(zhuǎn)速將近3000轉(zhuǎn)的一般軟啟動設(shè)置時建議將停機(jī)模式設(shè)置為”自由停機(jī)“模式，以減小向反電壓對軟啟動器的傷害，延長軟啟動器的壽命。

2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時芯片就會失效且不能恢復(fù)。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發(fā)生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內(nèi)過流(幾百毫秒到幾秒時間)一般是不會擊穿的。

3、過熱擊穿：這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導(dǎo)致?lián)舸?

如果屬于過流或過壓擊穿的話，主要看電機(jī)和可控硅的耐壓和抗沖擊電流的能力大小決定電機(jī)是否被燒毀。有的廠家軟啟本身應(yīng)外部短路故障發(fā)生過流達(dá)到一定數(shù)值時可控硅會有優(yōu)先擊穿保護(hù)電機(jī)功能。在電路設(shè)計時，軟啟動器進(jìn)線處會設(shè)置熔斷器保護(hù)開關(guān)，可以有效保護(hù)因過流或過壓發(fā)生燒毀設(shè)備的故障。所以一般不會燒毀電機(jī)。